国家专利局消息显示，北京京东方技术开发有限公司“一种光波导器件及AR显示装置”专利公布，申请公布日为2024年3月26日，申请公布号为CN117761825A。专利可提高AR显示设备的光效。专利信息显示，本公开提供一种光波导器件及AR显示装置，所述光波导器件包括：光波导板，及设于所述光波导板上的耦入光栅、反射元件和耦出光栅；其中，所述耦入光栅被配置为将入射光耦入至所述光波导板中，并在所述光波导板中形成衍射光线；所述反射元件被配置为接收来自所述光波导板中的所述衍射光线，并将所述衍射光线反射至所述耦出光栅；所述耦出光栅被配置为接收来自所述反射元件反射的衍射光线，并将所述衍射光线射出。本公开实施例提供的光波导器件及AR显示装置，其是提供了一种AR增强现实显示系统的新架构，能够提高光效。

据悉，京东方在AR/VR设备领域上，可提供Micro OLED显示模组和Fast LCD模组，尺寸包含0.39英寸至5.5英寸，具有高分辨率，快速响应，高刷新率等特点，可应用于多种微显示场景。另外，京东方的MLDE技术也可为VR/AR等领域显示产品提供高品质及高可靠性的 LED 背光产品。

此前，京东方发布了多款微显示新品，包括全球首发的1.3英寸双目4K Micro OLED显示屏，像素密度达4000+PPI，亮度达5000nits。京东方还推出了超薄大视角的Si-OLED双目光学系统，具有高亮度与显示密度的同时，产品更加轻薄。北京大学：申请Micro LED芯片专利，可降低制备复杂度

据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种基于无掩模二次外延的Micro-LED芯片阵列的制备方法“，公开号CN117766642A，申请日期为2023年12月。该专利可降低Micro LED制备工艺的复杂度。专利摘要显示，本发明公开了一种基于无掩模二次外延的Micro LED芯片阵列的制备方法。本发明通过对GaN模板进行干法刻蚀，形成应力弛豫图形化GaN模板，再在应力弛豫图形化GaN模板基础上选区二次外延多量子阱等结构，有效避免对多量子阱区域进行干法刻蚀，从而避免了多量子阱的侧壁刻蚀损伤；应力弛豫图形化GaN模板使得n型掺杂的GaN受到的应力得到有效弛豫；在应力弛豫图形化GaN模板上生长的预应力层，所受到的压应力得到部分弛豫，面内晶格常数得到扩张，从而减小铟并入所需要的能量，增加多量子阱中铟的并入；在制备应力弛豫图形化GaN模板中的刻蚀，使得只有GaN微米柱阵列的顶面为c面，作为生长面；选区二次外延生长，不需要额外的掩模，降低了Micro LED制备工艺的复杂度。